Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW - SSD - 8 To - SATA 6Gb/s

Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW

réf. fabricant : MZ-77Q8T0BW
Réf. Interne : 7218801
Fabricant : Samsung
Stock : 8


SSD SAMSUNG Serie 870 QVO 2,5 pouce 8TO S-ATA-6.0Gbps MZ-77Q8T0BW




Description du produit Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW - SSD - 8 To - SATA 6Gb/s
Type Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité 8 To
Cryptage matériel Oui
Algorithme de chiffrement AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND Cellule à quatre niveaux (QLC)
Format 2.5"
Interface SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon 8 Go
Caractéristiques Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, mode veille, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667
Dimensions (LxPxH) 69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm
Garantie du fabricant Garantie de 3 ans
Poids 57 g
Général
Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité
8 To
Cryptage matériel
Oui
Algorithme de chiffrement
AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND
Cellule à quatre niveaux (QLC)
Format
2.5"
Interface
SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon
8 Go
Caractéristiques
Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, mode veille, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667
Largeur
69.85 mm
Profondeur
100 mm
Hauteur
6.8 mm
Poids
57 g
Performances
Endurance SSD
2.88 PB
Débit de transfert interne
560 Mo/s (lecture) / 530 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko
11000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko
35000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum
88000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko
98000 IOPS
Fiabilité
Fiabilité MTBF
1,500,000 heures
Expansion et connectivité
Interfaces
1 x SATA 6 Gb/s - ATA série de 7 broches
Baie compatible
2.5"
Alimentation
Consommation électrique
3.3 Watt (moyenne) ? 5.5 Watt (maximum) ? 0.045 Watt (inactif)
Garantie du fabricant
Service et maintenance
Garantie limitée - 3 ans
Caractéristiques d?environnement
Température minimale de fonctionnement
0 °C
Température maximale de fonctionnement
70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement)
0.5 ms half-sine
Résistance aux chocs (au repos)
1500 g @ 0,5 ms
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