Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 To - PCIe 4.0 x4 (NVMe)

Samsung Produits Samsung MZ-V9P4T0BW

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réf. fabricant : MZ-V9P4T0BW
Réf. Interne : 7342201
Fabricant : Samsung
Stock : 93


Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - chiffré - 4 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption




Description du produit Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 To - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Type Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité 4 To
Cryptage matériel Oui
Algorithme de chiffrement AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND Cellule multiniveaux (MLC)
Format M.2 2280
Interface PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Caractéristiques Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard protection, Support de mise en veille de l'appareil, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, cache DDR4 SDRAM de 4 Go à faible consommation, S.M.A.R.T.
Dimensions (LxPxH) 22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Poids 9 g
Général
Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité
4 To
Cryptage matériel
Oui
Algorithme de chiffrement
AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND
Cellule multiniveaux (MLC)
Format
M.2 2280
Interface
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Caractéristiques
Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard protection, Support de mise en veille de l'appareil, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, cache DDR4 SDRAM de 4 Go à faible consommation, S.M.A.R.T.
Largeur
22 mm
Profondeur
80 mm
Hauteur
2.3 mm
Poids
9 g
Performances
Débit de transfert interne
7450 Mo/s (lecture) / 6900 Mo/s (écriture)
Écriture aléatoire 4 Ko maximum
1550000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko
1600000 IOPS
Fiabilité
Fiabilité MTBF
1,500,000 heures
Expansion et connectivité
Interfaces
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Baie compatible
M.2 2280
Alimentation
Consommation électrique
5.5 Watt (moyenne) ? 55 mW (inactif)
Logiciels & Configuration requise
Logiciel(s) inclus
Samsung Magician Software
Divers
Normes de conformité
IEEE 1667
Caractéristiques d?environnement
Température minimale de fonctionnement
0 °C
Température maximale de fonctionnement
70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement)
0.5 ms half-sine
Résistance aux chocs (au repos)
1500 g
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